ÖZ Günümüz teknolojisinde her geçen gün artan çevre kirliliği dolayısıyla temiz ve ucuz elektrik enerjisi üretimi büyük önem kazanmıştır. Bu amaca yönelik çalışmalar daha çok güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren hidrojenlenmiş amorf silikon (a-Si:H) p-i-n güneş pilleri üzerine yoğunlaştırılmıştır. Diğer enerji kaynaklarıyla rekabet eder duruma gelebilmeleri için güneş pillerinin verimlerinin arttırılması gerekmektedir. Biz bu çalışmada verimi etkileyen en önemli parametrelerden biri olan rekombinasyon kinetiğini çeşitli dış etkenler altında inceledik. Delaware Üniversitesi IEC laboratuarlarından temin edilen hidrojenlenmiş amorf silikon (a-Si:H) p-i-n güneş pillerinde voltaj kontrollü DC ve module edilmiş fotoakım çalışmaları yapılmıştır. Özellikle bu pillerin karanlık ve ışık altında, I-V karakteristikleri, fotoakımın uyarıcı ışığın şiddetine, dalgaboyuna ve frekansına bağlılığı, ve de uygulanan belsem voltajına ve dolayısıyla elektrik alana bağlılığı deneysel olarak ölçülmüştür. Yapılan ölçümler sonucu elde edilen grafiklerden ve ilgili yasa ve modellerden yararlanarak söz konusu pillerin rekombinasyon kinetiği hakkında bilgi edinilmiştir. Anahtar Kelimeler: Hidrojenlenmiş amorf silikon (a-Si:H), p-i-n Güneş pili, Fotoiletkenlik, Rekombinasyon Kinetiği, Spektral tepki

ABSTRACT In nowadays technologhy, because of the increase in environment pollution, the production of clear and cheap electrical energy have possessed great importance. Studies, orinted to this aim are mostly intensified on hydrogenated amorphous silicon p-i-n solar cells which transform the sun light to electical energy, directly. In order the solar cells to get a position that can compete with other energy sources, the efficieny must be increased. In this project, we investigated the recombination kinetics, one of the most important parameters affecting the efficiency, under various external effects. Voltage-controlled DC and modulated photocurrent studies have been performed on hydrogenated amorphous silicon p-i-n solar cells supplied by IEC Laboratory of Delawere University. I-V characteristics of these cells subjected to dark and illumination, and the dependency of photocurrent on excitation light intensity, Wavelength, modulated frequency, power supply voltage, and, thus, electric field have been measured, particularly. Substantial information on recombination kinetics of these cells has been cololected as a result of the graphs obtained from measurements and of related laws and models. Keywords: Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), p-i-n solar cells, Photoconductivity, Recombination Kinetics, Spectral Response